Учёные РТУ МИРЭА получили патент на инновационный способ изготовления многослойных печатных плат из керамики с использованием 3D-печати. Новый метод позволяет создавать высококачественные керамические платы, востребованные в электронике, телекоммуникациях и других высокотехнологичных сферах.

Технология включает четыре основных этапа: синтез полимерно-керамического композита, высокоточную 3D-печать, нанесение токопроводящих элементов и финальный обжиг. В зависимости от задач применяются два типа керамики: высокотемпературная (HTCC) — для экстремальных условий, и низкотемпературная (LTCC) — для энергоэффективных решений.

Преимуществами керамических материалов остаются высокая прочность, устойчивость к механическим воздействиям и минимальные диэлектрические потери, что обеспечивает надёжность и долговечность изделий даже в самых сложных условиях эксплуатации.

Разработка МИРЭА сочетает современные 3D-технологии с традиционной обработкой керамики, открывая возможность создавать сложные многослойные структуры с высокой точностью — чего было сложно добиться стандартными методами. Такой подход особенно актуален для микроэлектроники, телекоммуникаций и устройств, работающих при высоких температурах и нагрузках.

По словам Дениса Юшина, руководителя лаборатории «Аддитивное производство электроники» РТУ МИРЭА, новая технология не только ускоряет и удешевляет производство, но и сохраняет все ключевые свойства продукции, что особенно важно для современных миниатюрных, но надёжных электронных компонентов.

Образец с первым рисунком проводника / © Денис Юшин, руководитель лаборатории «Аддитивное производство электроники» РТУ МИРЭА , пресс-служба РТУ МИРЭА

Гибкость метода позволяет применять различные варианты 3D-печати под конкретные задачи, что отмечает инженер лаборатории Анастасия Нетреба: «Мы комбинируем разные технологии аддитивного производства, чтобы адаптировать процесс под любые технические требования».

На изобретение уже оформлен патент, а в ближайших планах — внедрение новой технологии в промышленное производство.